CXMT сообщила о браке до 80% при производстве HBM3

Китайский производитель памяти CXMT испытывает трудности при освоении массового выпуска HBM3 — высокоскоростной памяти для ускорителей искусственного интеллекта. По данным корейского издания Chosun, первоначальный выход годных восьмислойных чипов составляет 25–30%, сообщает iXBT.

Ситуацию усугубляют последующие испытания: финальную проверку проходят лишь около 70% уже отобранных изделий. В итоге общий выход годной продукции может составлять 18–21%: условно из 100 произведенных HBM-чипов 80% — бракованные.

Основные сложности связаны не с производством самих кристаллов DRAM, а с их объединением в многослойную память. Чипы HBM состоят из нескольких кристаллов, уложенных друг на друга и соединённых вертикальными проводниками TSV (Through-Silicon Via).

Для создания TSV в кремнии формируются тысячи микроскопических отверстий с вертикальными электрическими соединениями. По данным источника, один HBM-чип CXMT может содержать около 3000 таких соединений. Поскольку дефект на любом этапе делает непригодным весь стек, производство HBM значительно сложнее традиционной DRAM.

Ранее CXMT успешно наращивала позиции в сегменте обычной DRAM, чему способствовало перераспределение мощностей крупнейших игроков в пользу HBM. Освоить выпуск многослойной памяти оказалось значительно сложнее.