Samsung разрабатывает три типа z-NAND для задач искусственного интеллекта
Samsung Electronics расширяет линейку флеш-памяти z-NAND до трёх вариантов, ориентированных на разные нагрузки: локальный ИИ, дата-центры и инференс. Для конечных пользователей это означает, что будущие устройства получат более быструю память под ИИ-задачи, однако сроки выхода и конкретные продукты компания не раскрыла.
Samsung Electronics расширяет разработку флеш-памяти NAND, предназначенной для систем искусственного интеллекта. Компания работает над тремя вариантами z-NAND, каждый из которых рассчитан на свой тип нагрузки.
Первый вариант — для локальной обработки данных на устройствах, второй — для высокопроизводительных дата-центров, третий — для задач инференса. Подробности по каждому из них компания не раскрыла: ни технические характеристики, ни сроки выхода, ни названия продуктов не названы.
z-NAND — разновидность флеш-памяти, которая позиционируется как более быстрая, чем обычная NAND. Для читателя это важно в первую очередь потому, что такие чипы определяют, насколько быстро устройство или сервер сможет обрабатывать ИИ-нагрузки без обращения к внешним ресурсам.
3DNews · права на исходный материал принадлежат автору.
Материал носит информационный характер и не является индивидуальной инвестиционной рекомендацией. Операции с криптовалютами связаны с риском полной потери вложенных средств. Подробнее — «Отказ от ответственности».
Разборы событий, итоги дня и то, что двигает рынок. Без сигналов и обещаний — только факты и что они значат.
Читать в Telegram →По теме
- ▪Lenovo представила ИИ-компьютер P7 массой 300 граммов и производительностью 190 TOPSiXBT · 18 октября
- ▪Исследователи FOI нашли способ распознавать спрятанный пистолет по сигналу Wi-FiiXBT · 18 октября
- ▪Глава Intel Тан заявил о завершении 80% реструктуризации компанииiXBT · 18 октября
- ▪DeepSeek выпустила ИИ-модель V4.1-Flash-10173DNews · 18 октября