Samsung и SK Hynix модернизируют заводы в Китае из-за роста YMTC

Samsung Electronics и SK Hynix обновляют производства NAND-памяти в Китае, чтобы выпускать больше чипов и удержать позиции против местного конкурента YMTC. Обе компании подтвердили, что согласуют модернизацию с американскими властями.

Samsung планирует перевести завод в Сиане с 200-слойной памяти на 286-слойные чипы V9 NAND. По данным источников Reuters, выпуск должен вырасти с 5000 пластин в месяц к декабрю 2026 года до 40 000 к концу 2027-го. SK Hynix переходит на 240 слоёв и выше на предприятии в Даляне, где сейчас делают 192-слойные чипы.

Расширяться приходится в узких рамках: южнокорейским производителям нужно каждый год получать лицензию на установку американского оборудования. Вашингтон предупреждал, что разрешит работу уже существующих заводов, но не расширение мощностей и не обновление технологий.

YMTC тем временем забирает рынок. По данным Omdia, во втором квартале 2026 года она заняла 38,5% китайского рынка NAND, доля Samsung снизилась до 33,5%, SK Hynix — до 17%. Китайская компания уже выпускает небольшие партии 294-слойной памяти и намерена перейти к чипам с более чем 300 слоями: чем больше слоёв, тем выше плотность хранения и ниже себестоимость.