SK Hynix начнёт выпуск HBM4E в Индиане в третьем квартале 2029 года

Южнокорейская SK Hynix официально начала строительство предприятия в американском штате Индиана. Инвестиции в проект превысят $4 млрд ≈ 12,1 млрд BYN, а массовый выпуск памяти следующего поколения HBM4E намечен на третий квартал 2029 года.

Завод расположится в исследовательском парке Purdue Research Park в городе Уэст-Лафайет. Чистые помещения должны заработать во второй половине 2028 года. В дальнейшем предприятие сможет выпускать сотни тысяч кремниевых пластин в год.

Производственная цепочка будет разделена между двумя странами. Кристаллы памяти станут производить в Южной Корее, после чего отправлять в Индиану для упаковки и тестирования. Готовая продукция предназначена прежде всего для американских заказчиков — Nvidia, Microsoft и Google, следует из сообщения Reuters.

Прогноз по спросу на память

Глава SK Hynix Квак Но-джонг заявил, что компания не видит признаков скорого спада спроса и ожидает сохранения дефицита до конца 2030 года. По его словам, даже возможное замедление рынка будет связано скорее с умеренным снижением темпов роста, чем с резким падением спроса.

HBM — это многослойная память, в которой несколько кристаллов размещаются друг над другом. Благодаря высокой пропускной способности и низкому энергопотреблению она стала ключевым компонентом ускорителей для искусственного интеллекта. Рост инвестиций в ИИ сделал HBM одним из главных источников выручки для производителей памяти.