Китайская CXMT запустила предсерийный выпуск памяти HBM3E

Китайская ChangXin Memory Technologies (CXMT) запустила предсерийное производство памяти HBM3E, которая используется в ускорителях искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислительных системах. В случае успешной отработки технологического процесса компания может перейти к более масштабному выпуску уже в ближайшие недели.

Зачем нужно предсерийное производство

Этот этап необходим для проверки стабильности технологического процесса, выхода годных кристаллов, упаковки многослойной памяти и соответствия готовых изделий требуемым характеристикам. Параллельно компания расширяет производственную базу: по данным источников, к концу года совокупная мощность предприятий CXMT по выпуску DRAM должна достичь порядка 350 тыс. обрабатываемых кремниевых пластин в месяц. Дальнейшее расширение запланировано и на последующие годы.

Характеристики не раскрыты

Точные параметры собственной HBM3E компания пока не назвала. В распространённых реализациях этого поколения памяти используется 1024-битный интерфейс на стек, а скорость передачи данных достигает примерно 9,6 Гбит/с на контакт и выше. При такой скорости теоретическая пропускная способность одного стека составляет 1,2 ТБ/с. Емкость зависит от используемых кристаллов DRAM и количества слоев: например, при применении 24-гигабитных кристаллов восьмислойный стек способен обеспечить 24 ГБ памяти.

Запуск производства HBM3E позволит Китаю частично компенсировать ограничения на поставки передовых чипов, введённые американскими санкциями. Ранее этот сегмент контролировали SK hynix, Samsung и Micron.