Micron представила NAND G11 с более чем 400 слоями, выпуск намечен на 2027 год

Micron представила флеш-память NAND нового поколения G11. Технология предусматривает более 400 слоёв. Производство компания планирует развернуть во второй половине 2027 года, конкретные сроки начала поставок не названы.

Судя по обнародованным планам, Micron может пропустить поколение G10: следующая ступень после нынешней G9 сразу станет G11.

Плотность хранения данных на единицу площади у G11 будет примерно вдвое выше, чем у G9 NAND с 276 слоями. Скорость ввода-вывода вырастет до 1,5 раза, энергопотребление при передаче данных снизится более чем на 25%. По замыслу компании, это повысит эффективность хранения и обработки больших объёмов информации, в том числе в системах искусственного интеллекта.

После G11 Micron намерена внедрять в NAND новые материалы с высокой подвижностью носителей заряда. С их помощью компания рассчитывает построить более плотную архитектуру ячеек и дополнительно повысить энергоэффективность памяти.

Отдельно Micron представила два типа NAND для ИИ-инфраструктуры центров обработки данных. Первый вариант оптимизирован под высокую производительность операций ввода-вывода в секунду (IOPS) и использует SLC-память, рассчитанную на подключение непосредственно к графическим процессорам. Второй ориентирован на высокую пропускную способность и по концепции напоминает HBF — подход к созданию памяти с высокой полосой пропускания.